傾佳碳化硅電力電子技術有限公司

 國產SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？
電力電子系統研發制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應商提供可靠性測試報告的原始數據和器件封裝的FT數據。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要來自以下可靠性測試環節的測試前后的數據對比，通過對齊可靠性報告原始數據測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要包括以下數據:
SiC碳化硅MOSFET高溫反偏
High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃
VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）
High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃
VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負壓）
High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃
VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏
High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃
RH=85%
VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮
Autoclave AC Ta=121℃
RH=100%
15psig
SiC碳化硅MOSFET溫度循環
Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命
Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃
Ton=2min
Toff=2min
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